K7P323688M (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K7P323688M» (SRAM (36 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
|
Маркировка | K7P323688M |
Описание | 1Mx36 Synchronous Pipelined SRAM1M x 36 or 2M x 18 Organizations.1.8V VDD / 1.5V or 1.8V VDDQ.HSTL Input and Output Levels.Differential, HSTL Clock Inputs K, /K.Synchronous Read and Write OperationRegistered Input and Registered OutputInternal Pipeline Latches to Support Late Write.Byte Write Capability (four byte write selects, one for each 9bits)Synchronous or Asynchronous Output Enable.Power Down Mode via ZZ Signal.Programmable Impedance Output Drivers.JTAG Boundary Scan (subset of IEEE std. 1149.1).119 |
Функционал | SRAM (36 Мб) | Производитель | Samsung semiconductor | |
Сайт | www.samsung.com |
| Размер | Страниц: 14, 390.94Кб |
Скачать файл |
Оригинальный PDF
Архив WinZIP
|
Предпросмотр |
HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|