K7P321888M (Samsung) - 2Mx18 Synchronous Pipelined SRAM1M x 36 or 2M x 18 Organizations.1.8V VDD / 1.5V or 1.8V VDDQ.HSTL Input and Output Levels.Differential, HSTL Clock Inputs K, /K.Synchronous Read and Write OperationRegistered Input and Registered OutputInternal Pipeline Latches to Support Late Write.Byte Write Capability (four byte write selects, one for each 9bits)Synchronous or Asynchronous Output Enable.Power Down Mode via ZZ Signal.Programmable Impedance Output Drivers.JTAG Boundary Scan (subset of IEEE std. 1149.1).119, SRAM (32 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K7P321888M (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K7P321888M» (SRAM (32 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K7P321888M производства Samsung

Маркировка	K7P321888M
Описание	2Mx18 Synchronous Pipelined SRAM1M x 36 or 2M x 18 Organizations.1.8V VDD / 1.5V or 1.8V VDDQ.HSTL Input and Output Levels.Differential, HSTL Clock Inputs K, /K.Synchronous Read and Write OperationRegistered Input and Registered OutputInternal Pipeline Latches to Support Late Write.Byte Write Capability (four byte write selects, one for each 9bits)Synchronous or Asynchronous Output Enable.Power Down Mode via ZZ Signal.Programmable Impedance Output Drivers.JTAG Boundary Scan (subset of IEEE std. 1149.1).119
Функционал	SRAM (32 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 14, 390.94Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K7P321888M, K7P321888M-H(G)C30, K7P323688M, K7P323688M-H(G)C25, K7P323688M-H(G)C30

ChipFind: наличие «K7P321888M» на онлайн-складах поставщиков