M364E0804BT0-C (Samsung) - M364E0804BT0 Edo Mode Without Buffer:4Mx64 DRAM Dimm Using 4Mx16,4K&8K Refresh,5V ; Density(MB) = 64 ; Organization = 8Mx64 ; Mode = Edo ; Refresh = 4K/64ms ; Speed(ns) = 50,60 ; #of Pin = 168 ; Component Composition = (4Mx16)x8+Drive ICx2 ; Production Status = Eol ; Comments = Buffered, Асинхронная DRAM (Модули)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

M364E0804BT0-C (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «M364E0804BT0-C» (Асинхронная DRAM (Модули)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet M364E0804BT0-C производства Samsung

Маркировка	M364E0804BT0-C
Описание	M364E0804BT0 Edo Mode Without Buffer:4Mx64 DRAM Dimm Using 4Mx16,4K&8K Refresh,5V ; Density(MB) = 64 ; Organization = 8Mx64 ; Mode = Edo ; Refresh = 4K/64ms ; Speed(ns) = 50,60 ; #of Pin = 168 ; Component Composition = (4Mx16)x8+Drive ICx2 ; Production Status = Eol ; Comments = Buffered
Функционал	Асинхронная DRAM (Модули)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 0, 476.81Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K4E6601611B, M364E0804BT0, M364E0804BT0-C, M364E0884BT0, M364E0884BT0-C

ChipFind: наличие «M364E0804BT0-C» на онлайн-складах поставщиков