K9F4G08U0M-Y,P (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K9F4G08U0M-Y,P» (NAND Flash), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | K9F4G08U0M-Y,P |
| Описание | 1G x 8 Bit NAND Flash MemoryOffered in 512Mx8bit, the K9F4G08U0M isA 4G-bit NAND Flash Memory with spare 128M-bit. Its NAND cell provides the most costeffective solution for the solid state application market.A program operation can be performed in typical 200µs on the (2K+64)Byte page and an erase operation can be performed in typical 1.5ms onA (128K+4K)Byte block. Data in the data register can be read out at 25ns cycle time per Byte. |
| Функционал | NAND Flash | | Производитель | Samsung semiconductor |  |
| Сайт | www.samsung.com |
| | | Размер | Страниц: 43, 1.11Мб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|