K7B163635B-Q(P)C(I)75 (Samsung) - 512Kx36-Bit Synchronous Burst SRAMThe K7B161835B is 18,874,368-bit Synchronous Static Random Access Memory designed for high performance second level cache of Pentium and Power PC based System., SRAM (16 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K7B163635B-Q(P)C(I)75 (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K7B163635B-Q(P)C(I)75» (SRAM (16 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K7B163635B-Q(P)C(I)75 производства Samsung

Маркировка	K7B163635B-Q(P)C(I)75
Описание	512Kx36-Bit Synchronous Burst SRAMThe K7B161835B is 18,874,368-bit Synchronous Static Random Access Memory designed for high performance second level cache of Pentium and Power PC based System.
Функционал	SRAM (16 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 20, 391.19Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K7B161835B, K7B161835B-Q(P)C(I)75, K7B163635B, K7B163635B-Q(P)C(I)75

ChipFind: наличие «K7B163635B-Q(P)C(I)75» на онлайн-складах поставщиков