K6X1008T2D-GB551 (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K6X1008T2D-GB551» (Маломощная SRAM (1 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | K6X1008T2D-GB551 |
| Описание | K6X1008T2D 128K X 8 Bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM ; Organization = 128Kx8 ; Vcc(V) = 2.7~3.6 ; Speed-tAA(ns) = 70,85 ; Operating Temperature = I,a ; Operating Current(mA) = 25 ; Standby Current(uA) = 10,20 ; Package = 32DIP,32SOP,32TSOP1 ; Production Status = Mass Production ; Comments = D-die |
| Функционал | Маломощная SRAM (1 Мб) | | Производитель | Samsung semiconductor |  |
| Сайт | www.samsung.com |
| | | Размер | Страниц: 0, 147.1Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|