K6R4016V1D-EP10 (Samsung) - K6R4016V1D 256Kx16 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). ; Organization = 256Kx16 ; Vcc(V) = 3.3 ; Speed-tAA(ns) = 8,10 ; Operating Temperature = C,i ; Operating Current(mA) = 80,65 ; Standby Current(mA) = 5 ; Package = 44SOJ,44TSOP2,48TBGA ; Production Status = Mass Production ; Comments = -, Асинхронная SRAM (4 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K6R4016V1D-EP10 (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K6R4016V1D-EP10» (Асинхронная SRAM (4 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K6R4016V1D-EP10 производства Samsung

Маркировка	K6R4016V1D-EP10
Описание	K6R4016V1D 256Kx16 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). ; Organization = 256Kx16 ; Vcc(V) = 3.3 ; Speed-tAA(ns) = 8,10 ; Operating Temperature = C,i ; Operating Current(mA) = 80,65 ; Standby Current(mA) = 5 ; Package = 44SOJ,44TSOP2,48TBGA ; Production Status = Mass Production ; Comments = -
Функционал	Асинхронная SRAM (4 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 0, 145.61Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

ChipFind: наличие «K6R4016V1D-EP10» на онлайн-складах поставщиков