K6R4008V1D-T (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K6R4008V1D-T» (Асинхронная SRAM (4 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
|
Маркировка | K6R4008V1D-T |
Описание | K6R4008V1D 512K X 8 Bit High-speed CMOS Static RAM ; Organization = 512Kx8 ; Vcc(V) = 3.3 ; Speed-tAA(ns) = 8,10 ; Operating Temperature = C,i ; Operating Current(mA) = 80,65 ; Standby Current(mA) = 5 ; Package = 36SOJ,44TSOP2 ; Production Status = Mass Production ; Comments = - |
Функционал | Асинхронная SRAM (4 Мб) | Производитель | Samsung semiconductor | |
Сайт | www.samsung.com |
| Размер | Страниц: 0, 209.07Кб |
Скачать файл |
Оригинальный PDF
Архив WinZIP
|
Предпросмотр |
HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|