K6R1004V1D-J (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K6R1004V1D-J» (Асинхронная SRAM (1 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | K6R1004V1D-J |
| Описание | K6R1004V1D 256Kx4 Bit (with OE) High-speed CMOS Static RAM(3.3VOperating) ; Organization = 256Kx4 ; Vcc(V) = 3.3 ; Speed-tAA(ns) = 8,10 ; Operating Temperature = C ; Operating Current(mA) = 80,65 ; Standby Current(mA) = 5 ; Package = 32SOJ ; Production Status = Mass Production ; Comments = - |
| Функционал | Асинхронная SRAM (1 Мб) | | Производитель | Samsung semiconductor |  |
| Сайт | www.samsung.com |
| | | Размер | Страниц: 0, 129.68Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|