K6F8016R6B-EF85 (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K6F8016R6B-EF85» (Маломощная SRAM), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
|
Маркировка | K6F8016R6B-EF85 |
Описание | K6F8016R6B 512K X 16 Bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM ; Organization = 512Kx16 ; Vcc(V) = 1.65~2.2V ; Speed-tAA(ns) = 70,85 ; Operating Temperature = i ; Operating Current(mA) = 2 ; Standby Current(uA) = 0.5 ; Package = 48TBGA ; Production Status = Mass Production ; Comments = - |
Функционал | Маломощная SRAM | Производитель | Samsung semiconductor | |
Сайт | www.samsung.com |
| Размер | Страниц: 0, 157.24Кб |
Скачать файл |
Оригинальный PDF
Архив WinZIP
|
Предпросмотр |
HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|