K6F4016R6E-F (Samsung) - K6F4016R6E 256K X 16bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM ; Organization = 256Kx16 ; Vcc(V) = 1.65~2.20 ; Speed-tAA(ns) = 70,85 ; Operating Temperature = i ; Operating Current(mA) = 2 ; Standby Current(uA) = 0.5 ; Package = 48TBGA ; Production Status = Mass Production ; Comments = -, Маломощная SRAM (4 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K6F4016R6E-F (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K6F4016R6E-F» (Маломощная SRAM (4 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K6F4016R6E-F производства Samsung

Маркировка	K6F4016R6E-F
Описание	K6F4016R6E 256K X 16bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM ; Organization = 256Kx16 ; Vcc(V) = 1.65~2.20 ; Speed-tAA(ns) = 70,85 ; Operating Temperature = i ; Operating Current(mA) = 2 ; Standby Current(uA) = 0.5 ; Package = 48TBGA ; Production Status = Mass Production ; Comments = -
Функционал	Маломощная SRAM (4 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 0, 163.99Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K6F4016R6E, K6F4016R6E-EF70, K6F4016R6E-EF85, K6F4016R6E-F

ChipFind: наличие «K6F4016R6E-F» на онлайн-складах поставщиков