K6F1016S3M-TB12 (Samsung) - K6F1016S3M 64Kx16 Bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM ; Organization = 64Kx16 ; Vcc(V) = 2.3~3.3 ; Speed-tAA(ns) = 70,85,120,150 ; Operating Temperature = 0~70,-40~85 ; Operating Current(mA) = 50,80 ; Standby Current(uA) = 5 ; Package = 44TSOP2,48uBGA ; Production Status = Eol ; Comments = -, Маломощная SRAM (1 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K6F1016S3M-TB12 (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K6F1016S3M-TB12» (Маломощная SRAM (1 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K6F1016S3M-TB12 производства Samsung

Маркировка	K6F1016S3M-TB12
Описание	K6F1016S3M 64Kx16 Bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM ; Organization = 64Kx16 ; Vcc(V) = 2.3~3.3 ; Speed-tAA(ns) = 70,85,120,150 ; Operating Temperature = 0~70,-40~85 ; Operating Current(mA) = 50,80 ; Standby Current(uA) = 5 ; Package = 44TSOP2,48uBGA ; Production Status = Eol ; Comments = -
Функционал	Маломощная SRAM (1 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 0, 186.03Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

ChipFind: наличие «K6F1016S3M-TB12» на онлайн-складах поставщиков