K4S56323LF-F(H)E/N/S/C/L/R75 (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4S56323LF-F(H)E/N/S/C/L/R75» (SDR SDRAM (256 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
ensclr75.gif) |
| Маркировка | K4S56323LF-F(H)E/N/S/C/L/R75 |
| Описание | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGAThe K4S56323LF is 268,435,456 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words by 32 bits, fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same device to be useful forA variety of high bandwidth and |
| Функционал | SDR SDRAM (256 Мб) | | Производитель | Samsung semiconductor |  |
| Сайт | www.samsung.com |
| | | Размер | Страниц: 12, 140.97Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|