K4S51163LF-Y(P)C/L/F1L (Samsung) - 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAMThe K4S51163LF is 536,870,912 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 8,388,608 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle., SDR SDRAM (512 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K4S51163LF-Y(P)C/L/F1L (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4S51163LF-Y(P)C/L/F1L» (SDR SDRAM (512 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K4S51163LF-Y(P)C/L/F1L производства Samsung

Маркировка	K4S51163LF-Y(P)C/L/F1L
Описание	8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAMThe K4S51163LF is 536,870,912 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 8,388,608 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle.
Функционал	SDR SDRAM (512 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 12, 114.73Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K4S51163LF, K4S51163LF-Y(P)C/L/F1H, K4S51163LF-Y(P)C/L/F1L, K4S51163LF-Y(P)C/L/F75

ChipFind: наличие «K4S51163LF-Y(P)C/L/F1L» на онлайн-складах поставщиков