K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R1H (Samsung) - 1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGAThe K4S28323LF is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32 bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology., SDR SDRAM (128 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R1H (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R1H» (SDR SDRAM (128 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R1H производства Samsung

Маркировка	K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R1H
Описание	1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGAThe K4S28323LF is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32 bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology.
Функционал	SDR SDRAM (128 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 12, 141.48Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R1H, K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R1L, K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R60, K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R75

ChipFind: наличие «K4S28323LF-F(H)E/N/S/C/L/R1H» на онлайн-складах поставщиков