K4R271669E-TbCS8 (Samsung)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4R271669E-TbCS8» (RDRAM (128 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | K4R271669E-TbCS8 |
| Описание | K4R271669E 256K X 16 Bit X 32s Banks Direct RDRAM™ ; Organization = (256Kx16)x32s ; Voltage(V) = 2.5 ; Refresh = 16K/32m ; Speed(MHz)/ TRAC(ns) = 400/45 ; Package = 54WBGA ; Production Status = Mass Production ; Comments = Leaded/lead Free Pkg.+short Channel |
| Функционал | RDRAM (128 Мб) | | Производитель | Samsung semiconductor |  |
| Сайт | www.samsung.com |
| | | Размер | Страниц: 0, 154.26Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|