K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F75 (Samsung) - 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGAThe K4M281633F is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology., SDR SDRAM (128 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F75 (Samsung)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F75» (SDR SDRAM (128 Мб)), производства Samsung. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F75 производства Samsung

Маркировка	K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F75
Описание	2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGAThe K4M281633F is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG\'s high performance CMOS technology.
Функционал	SDR SDRAM (128 Мб)
Производитель	Samsung semiconductor
Сайт	www.samsung.com

Размер	Страниц: 12, 116.39Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F1H, K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F1L, K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F75

ChipFind: наличие «K4M281633F-R(B)E/N/G/C/L/F75» на онлайн-складах поставщиков