NGB8206N (ON Semiconductor)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «NGB8206N» (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)), производства ON Semiconductor. Выберите наиболее удобный формат.
 |
| Маркировка | NGB8206N |
| Описание | Ignition IGBT 20 A, 350 V, N-channel D2PAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Featuresmonolithic Circuitry Integrating Esd and Over−Voltage Clampedprotection For Use in Inductive Coil Drivers Applications. Primary Usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or Wherever High Voltage Andhigh Current Switching is Required. |
| Функционал | IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) | | Производитель | ON Semiconductor |  |
| Сайт | www.onsemi.com |
| | | Размер | Страниц: 8, 69.1Кб |
| Скачать файл |
 Оригинальный PDF
 Архив WinZIP
|
| Предпросмотр |
 HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|