Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Enge Toleranz: Chipoberflche/
Bauteiloberkante
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfnger
q
Sehr plane Oberflche
q
Gehusegleich mit SFH 309
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
q
LWL
Features
q
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Small tolerance: Chip surface to case
surface
q
High pulse handling capability
q
Good spectral match to silicon
photodetectors
q
Plane surface
q
Same package as SFH 309
Applications
q
Photointerrupters
q
Fibre optic transmission
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487 P
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 487 P
Q62703-Q517
3-mm-LED-Gehuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gie
harz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Anodenkennzeichnung: krzerer Anschlu
3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored trans-
parent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
''), anode marking: short lead
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
29
27
4.5
4.0
3.5
2.0
1.7
3.1
2.5
2.54 mm
spacing
3.1
2.9
0.8
0.4
0.6
0.4
4.0
3.6
0.6
0.4
Approx. weight 0.3 g
Chip position
Area not flat
GEX06308
0.7
0.4
Cathode
fex06308
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 487 P
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchla
strom
Forward current
I
F
100
mA
Sto
strom,
10
s
Surge current
I
FSM
2.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200
mW
Wrmewiderstand, freie Beinchenlnge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
R
thJA
375
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
,
I
F
= 100 mA
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
80
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
65
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.16
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.4
0.4
mm
SFH 487 P
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Abstand Chipoberflche bis
Gehusevorderseite
Distance chip front to case surface
H
0.4 ... 0.8
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.6/0.5
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
1.5
(<
1.8)
3.0
(<
3.8)
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
25
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient or
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 100 mA
TC
0.25
nm/K
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 487 P
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
Bezeichnung
Description
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e
> 2
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ.
30
mW/sr
OHR01894
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SFH 487 P
Semiconductor Group
5
1997-11-01
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current,
I
F
=
f
(
V
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
s
0
750
rel
OHR00877
800
850
900
950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
o
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
10
OHR00878
e
F
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
10
1
10
2
10
4
mA
e
(100mA)
3
10
10
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10
s
=
D
F
T
DC
0.005
=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board
I
F
=
f
(
I
),
T
A
= 25
o
C
T
OHR00880
0
F
0
20
40
60
80
100
C
mA
25
50
75
100
125
OHR00949
F
0
0
5
10
15
20
25 mm 30
20
40
60
80
100
mA
120
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