Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlufige Daten
preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T
vj
= 25C
V
CES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 80 C
I
C,nom.
1200
A
DC-collector current
T
C
= 25 C
I
C
1950
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80C
I
CRM
2400
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25C, Transistor
P
tot
9,6
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
1200
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
I
FRM
2400
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125C
I
2
t
380
kA
2
s
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
I
C
= 1200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25C
V
CE sat
2,6
3,1
V
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 1200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125C
3,1
3,6
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 80mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
14,5
C
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
79
nF
Rckwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
4
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25C
I
CES
5
mA
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25C
I
GES
400
nA
prepared by: A. Wiesenthal
date of publication: 05.04.2001
approved by: Christoph Lbke; 12.04.2001
revision: 1 (preliminary)
1(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V
turn on delay time (inductive load)
V
GE
= 15V, R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 25C
t
d,on
0,3
s
V
GE
= 15V, R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 125C
0,3
s
Anstiegszeit (induktive Last)
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V
rise time (inductive load)
V
GE
= 15V, R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 25C
t
r
0,16
s
V
GE
= 15V, R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 125C
0,16
s
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V
turn off delay time (inductive load)
V
GE
= 15V, R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 25C
t
d,off
1,1
s
V
GE
= 15V, R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 125C
1,1
s
Fallzeit (induktive Last)
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V
fall time (inductive load)
V
GE
= 15V, R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 25C
t
f
0,13
s
V
GE
= 15V, R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 125C
0,14
s
Einschaltverlustenergie pro Puls
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
turn-on energy loss per pulse
R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 125C, L
S
= 50nH
E
on
330
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
I
C
= 1200A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
turn-off energy loss per pulse
R
G
= 1,2
W
, T
vj
= 125C, L
S
= 50nH
E
off
480
mWs
Kurzschluverhalten
t
P
10sec, V
GE
15V
SC Data
T
Vj
125C, V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
dI/dt
I
SC
4800
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
sCE
12
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC+EE
0,08
m
W
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
I
F
= 1200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25C
V
F
2,1
2,5
V
forward voltage
I
F
= 1200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125C
2,1
2,5
V
Rckstromspitze
I
F
= 1200A, - di
F
/dt = 7200A/sec
peak reverse recovery current
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25C
I
RM
970
A
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125C
1130
A
Sperrverzgerungsladung
I
F
= 1200A, - di
F
/dt = 7200A/sec
recovered charge
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25C
Q
r
200
As
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125C
380
As
Abschaltenergie pro Puls
I
F
= 1200A, - di
F
/dt = 7200A/sec
reverse recovery energy
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25C
E
rec
110
mWs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125C
210
mWs
FZ 1200 R 17 KF6C B2
2(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
Transistor / transistor, DC
R
thJC
0,013
K/W
thermal resistance, junction to case
Diode/Diode, DC
0,025
K/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
l
Paste
= 1 W/m*K /
l
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
0,008
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
150
C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vj op
-40
125
C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
17
mm
Luftstrecke
clearance
10
mm
CTI
comperative tracking index
275
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
M1
5
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlsse
terminals M4
M2
2
Nm
terminal connection torque
terminals M8
8 - 10
Nm
Gewicht
weight
G
1050
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlufige Daten
preliminary data
I
C
[A]
V
CE
[V]
I
C
[A]
V
CE
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Ausgangskennlinie (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
V
GE
= 15V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
T
vj
= 125C
4(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlufige Daten
preliminary data
I
C
[A]
V
GE
[V]
I
F
[A]
V
F
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Tj = 25C
Tj = 125C
bertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlufige Daten
preliminary data
E [
m
J]
I
C
[A]
E [
m
J]
R
G
[
9
9
9
9
]
0
200
400
600
800
1000
1200
0
400
800
1200
1600
2000
2400
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
gon
= R
goff
=1,2
9
9
9
9
, V
CE
= 900V, T
j
= 125C, V
GE
= 15V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
2
4
6
8
10
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 1200A , V
CE
= 900V , T
j
= 125C, V
GE
= 15V
6(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlufige Daten
preliminary data
Z
th
JC
[
K
/ W
]
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
1,25
6,15
2,6
3
J
i
[sec]
: IGBT
0,003
0,05
0,1
0,95
r
i
[K/kW]
: Diode
2,46
13,4
4,57
4,57
J
i
[sec]
: Diode
0,003
0,045
0,45
0,75
I
C
[A
]
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
g
= 1,2 Ohm, T
vj
= 125C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
uere Abmessungen / external dimensions
8(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fr technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fr die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstndigkeit der
bereitgestellten Produktdaten fr diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche Gewhrleistung
bernehmen. Eine solche Gewhrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fr das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls bernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen bentigen, die ber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fr Sie
zustndigen Vertriebsbro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Fr Interessenten halten wir Application
Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen knnte unser Produkt gesundheitsgefhrdende Substanzen enthalten. Bei Rckfragen
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fr Sie zustndigen Vertriebsbro
in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefhrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen
einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fr diese Flle
- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualittssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die
Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhngig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche nderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
data with respect to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the
product and its characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for
any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
PDF 
ZIP