FS 400 R 12 KF4
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
I
C
400 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
t
p
= 1 ms
I
CRM
800 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25C, Transistor / Transistor
P
tot
2500 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GE
20 V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
400 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
p
= 1ms
I
FRM
800 A
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ. max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
i
C
= 400 A, v
GE
= 15 V, T
vj
= 25C
v
CE sat
-
2,7
3,2 V
i
C
= 400 A, v
GE
= 15 V, T
vj
= 125C
-
3,4
4 V
Gate-Emitter Schwellenspannung
gate-emitter threshold voltage
i
C
= 16 mA, v
CE
= v
GE
, T
vj
= 25C
v
GE(TO)
4,5
5,5
6,5 V
Eingangskapazitt
input capacity
f
O
= 1 MHz, T
vj
= 25C, v
CE
= 25 V, v
GE
= C
ies
-
27
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
v
CE
= 1200 V, v
GE
= 0V, T
vj
= 25C
i
CES
-
8
- mA
v
CE
= 1200 V, v
GE
= 0V, T
vj
= 125C
-
40
- mA
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
v
CE
= 0 V, v
GE
= 20 V, T
vj
= 25C
i
GES
-
-
400 nA
Emitter-Gate Reststrom
gate leakage current
v
CE
= 0 V, v
EG
= 20 V, T
vj
= 25C
i
EGS
-
-
400 nA
Einschaltzeit (induktive Last)
turn-on time (inductive load)
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V
t
on
v
L
= 15 V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25C
-
0,7
- s
v
L
= 15 V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125C
-
0,8
- s
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V
t
s
v
L
= 15 V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25C
-
0,9
- s
v
L
= 15 V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125C
-
1
- s
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V
t
f
v
L
= 15 V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25C
-
0,1
- s
v
L
= 15 V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125C
- 0,15
- s
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V, L
S
= 70 nH
E
on
V
L
= 15 V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125C
-
100
- mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V, L
S
= 70 nH
E
off
V
L
= 15 V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125C
-
55
- mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaspannung
forward voltage
i
F
= 400 A, v
GE
= 0V, T
vj
= 25C
v
F
-
2,2
2,7 V
i
F
= 400 A, v
GE
= 0V, T
vj
= 125C
-
2,0
2,5 V
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
i
F
= 400 A, -di
F
/dt = 2 kA/s
I
RM
v
RM
= 600 V, v
EG
= 10 V, T
vj
= 25C
-
125
- A
v
RM
= 600 V, v
EG
= 10 V, T
vj
= 125C
-
200
- A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
i
F
= 400 A, -di
F
/dt = 2 kA/s
Q
r
v
RM
= 600 V, v
EG
= 10 V, T
vj
= 25C
-
13
- As
v
RM
= 600 V, v
EG
= 10 V, T
vj
= 125C
-
45
- As
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul / per module R
thJC
0,008 C/W
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
0,05 C/W
Diode, DC, pro Modul / per module
0,014 C/W
Diode, DC, pro Zweig / per arm
0,084 C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
R
thCK
typ. 0,006 C/W
pro Zweig / per arm
typ. 0,036 C/W
Hchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
150 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+125 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
AI
2
O
3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
terminals M6 / tolerance 15%
M1
5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlsse
terminal connection torque
terminals M6
M2
5...6 Nm
Gewicht
weight
G
ca. 2300 g
Bedingung fr den Kurzschluschutz / Conditions for short-circuit protection
t
fg
= 10 s
V
CC
= 750 V
v
L
= 15 V
v
CEM
= 900 V
R
GF
= R
GR
= 2,4
i
CMK1
2500 A
Tvj = 125C
i
CMK2
2200 A
Unabhngig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
CEM
= V
CES
- 15nH x |di
c
/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
FS 400 R 12 KF4
FS 400 R 12 KF4 / 1
Hier Diagramm Untertitel eingeben...
FS 400 R 12 KF4 / 5
FS 400 R 12 KF4 / 6
FS 400 R 12 KF4 / 3
FS 400 R 12 KF4 / 2
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
i
C
[A]
i
C
[A]
i
C
[A]
i
C
[A]
v
CE
[V]
v
CE
[V]
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
05
6
7
8
9
10
11
12
v
CE
[V]
v
GE
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
Z
thJC
[
C/W
]
t [s]
t [s]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
i
F
[A]
v
F
[V]
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
V
GE
= 15 V
T
vj
= 25C
T
vj
= 125C
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
T
vj
= 125C
Bild / Fig. 3
bertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20 V
Bild / Fig. 4
Rckwrts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
T
vj
= 125C
v
LF
= v
LR
= 15 V
R
G
= 2,4
Bild / Fig. 5
Transienter Wrmewiderstand je Zweig (DC) /
Transient thermal impedance per arm (DC)
Bild / Fig. 6
Durchlakennlinien der Inversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)
T
vj
= 25C
T
vj
= 125C
20 V
10 V
9 V
8 V
V
GE
=
t
vj
=
Diode
IGBT
25C
125C
12 V
15 V
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