Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DD 800 S 17 K6C B2
vorlufige daten
preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= 25C
V
CES
1700
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
800
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t
p
= 1 ms
I
FRM
1600
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125C
I
2
t
170
kA
2
s
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
I
F
= 800A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25C
V
F
2,1
2,5
V
forward voltage
I
F
= 800A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125C
2,1
2,5
V
Sperrstrom
reverse current
Rckstromspitze
I
F
= 800A, - di
F
/dt = 6300A/sec
peak reverse recovery current
V
R
= 900V, T
vj
= 25C
I
RM
710
A
V
R
= 900V, T
vj
= 125C
860
A
Sperrverzgerungsladung
I
F
= 800A, - di
F
/dt = 6300A/sec
recovered charge
V
R
= 900V, T
vj
= 25C
Q
r
135
As
V
R
= 900V, T
vj
= 125C
265
As
Abschaltenergie pro Puls
I
F
= 800A, - di
F
/dt = 6300A/sec
reverse recovery energy
V
R
= 900V, T
vj
= 25C
E
rec
75
mWs
V
R
= 900V, T
vj
= 125C
155
mWs
Modulinduktivitt
stray inductance module
pro Diode / per Diode
L
sAC
20
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC+EE
0,16
m
W
prepared by: A. Wiesenthal
date of publication: 06.11.2001
approved by: Christoph Lbke; 2001-11-09
revision: 1 (preliminary)
V
R
= 1700V, T
vj
= 25C
I
R
5
mA
1(5)
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IGBT-Module
IGBT-Modules
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vorlufige daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode, DC
R
thJC
0,034
K/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
l
Paste
= 1 W/m*K /
l
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
0,008
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
150
C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vjop
-40
125
C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
15
mm
Luftstrecke
clearance
10
mm
CTI
comperative tracking index
min.
275
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
M1
5
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
G
1050
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
terminals M8
M2
8 - 10
Nm
2(5)
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IGBT-Module
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vorlufige daten
preliminary data
I
F
[A]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
V
F
[V]
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
3(5)
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vorlufige Daten
preliminary data
Z
th
JC
[
K
/ W
]
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: Diode
15,7
7,05
2,24
9,05
J
i
[sec]
: Diode
0,0287
0,0705
0,153
0,988
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
4(5)
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uere Abmessungen / external dimensions
5(5)
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