1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gltig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
) Tested with pulses Gemessen mit Impulsen
3
) The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.
Die 3EZ 1 ist eine in Durchla betriebene Einzelchip-Diode.
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
216
28.02.2002
3EZ 1 ... 3EZ 200 (3 W)
Silicon-Power-Z-Diodes
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(non-planar technology)
(flchendiffundierte Dioden)
Maximum power dissipation
3 W
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung
1...200 V
Plastic case
DO-15
Kunststoffgehuse
DO-204AC
Weight approx. Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausfhrung gestuft nach der
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder hhere Arbeitsspannungen auf
Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation Verlustleistung
T
A
= 25
/
C
P
tot
3.0 W
1
)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
T
A
= 25
/
C
P
ZSM
60 W
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
50...+150
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
50...+175
/
C
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
< 40 K/W
1
)
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead
R
thL
< 15 K/W
Wrmewiderstand Sperrschicht Anschludraht
Zener voltages see table on next page Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nchsten Seite