2П7148А-5
Мощный N-канальный ДМОП транзистор
со встроенным обратным диодом.
Uси = 30 В
R си откр = 0,020
Ом
ОСОБЕННОСТИ:
ћ Супервысокая
плотность
упаковки
ячеек,
обеспечивающая низкое сопротивление сток-исток в
открытом состоянии.
ћ Возможность параллельного включения.
ТРАНЗИСТОРЫ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ
ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ:
в аппаратуре специального назначения.
Транзисторы поставляются в бескорпусном
исполнении на общей пластине или разделенные
на кристаллы.
Диаметр пластины, мм 100
Уровень технологии, мкм 2,0
Размер кристалла, мм 3,5
х 3,5
Толщина кристалла, мм
300
30
Тип металлизации обратной
стороны пластины
Ti - Ni - Ag
ПРЕДЕЛЬНО - ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ В УСЛОВНОМ КОРПУСЕ
Параметр
Значение
Постоянный ток стока (Uзи =10 В), Tкорпуса=25
о
С 40А
Напряжение затвор-исток
20 В
Рабочая температура -60
о
С +125
о
С
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КРИСТАЛЛА ( при Т = 25
њС)
Значение
Параметр, (задаваемые режимы ), единица
измерения
Буквенное
обозначени
е
мин.
тип.
макс
Пробивное напряжение сток-исток (Uзи= 0 В, Iс = 10 мкА),
В
Uси проб 30 - -
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Iс = 5 А,
Uзи = 10 В), Ом
Rси откр - - 0,02
Пороговое напряжение (Iс = 1 мА, Uзи = Uси), В
Uзи пор 2 - 4
Тoк утечки затвора (Uзи =
20 В ,Uси
= 0 В), нА
Iз ут
100
АНГСТРЕМ
ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО
С
И
З
ОАО "АНГСТРЕМ"
Россия, 124460, Москва, Зеленоград
Телефон (095) 531-49-06, 532-96-21
Факс (095) 531-32-70
E-mail:
market@angstrem.ru
www.angstrem.ru
JSC "ANGSTREM"
Russia, 124460, Moscow,Zelenograd
Phone (095) 531-49-06, 532-96-21
Fax (095) 531-32-70
E-mail:
market@angstrem.ru
www.angstrem.ru
PDF 
ZIP