BH616UV8010AIG55 (BSI)
Подробное описание (datasheet) электронного компонента «BH616UV8010AIG55» (SRAM (8 Мб)), производства BSI. Выберите наиболее удобный формат.
|
Маркировка | BH616UV8010AIG55 |
Описание | The BH616UV8010 isA high performance, ultra low power CMOSStatic Random Access Memory organized as 524,288 by 16 bits andoperates inA wide range of 1.65V to 3.6V supply voltage.Advanced CMOS technology and circuit techniques provide bothhigh speed and low power features with typical operating current of1.5mA at 1MHz at 3.6V/25OC and maximum access time of 55ns at1.65V/85OC. |
Функционал | SRAM (8 Мб) | Производитель | Brilliance Semiconductor | |
Сайт | www.brilliancesemi.com |
| Размер | Страниц: 0, 159.05Кб |
Скачать файл |
Оригинальный PDF
Архив WinZIP
|
Предпросмотр |
HTML страница |
|
В этом файле
|
|
|