BH616UV4010DI-55 (BSI) - The BH616UV4010 isA high performance, ultra low power CMOSStatic Random Access Memory organized as 262,144 by 16 bits andoperates inA wide range of 1.65V to 3.6V supply voltage.Advanced CMOS technology and circuit techniques provide bothhigh speed and low power features with typical operating current of1.5mA at 1MHz at 3.6V/25OC and maximum access time of 55ns at1.65V/85OC., SRAM (4 Мб)

База по 1.687.043 компонентам

Документация

Поиск по складам

Поле для поиска	Строка для поиска	Производитель

BH616UV4010DI-55 (BSI)

Подробное описание (datasheet) электронного компонента «BH616UV4010DI-55» (SRAM (4 Мб)), производства BSI. Выберите наиболее удобный формат.

Datasheet BH616UV4010DI-55 производства BSI

Маркировка	BH616UV4010DI-55
Описание	The BH616UV4010 isA high performance, ultra low power CMOSStatic Random Access Memory organized as 262,144 by 16 bits andoperates inA wide range of 1.65V to 3.6V supply voltage.Advanced CMOS technology and circuit techniques provide bothhigh speed and low power features with typical operating current of1.5mA at 1MHz at 3.6V/25OC and maximum access time of 55ns at1.65V/85OC.
Функционал	SRAM (4 Мб)
Производитель	Brilliance Semiconductor
Сайт	www.brilliancesemi.com

Размер	Страниц: 0, 158.54Кб
Скачать файл	Оригинальный PDF Архив WinZIP
Предпросмотр	HTML страница

В этом файле

BH616UV4010, BH616UV4010AI-55, BH616UV4010AIG55, BH616UV4010DI-55, BH616UV4010TI-55

ChipFind: наличие «BH616UV4010DI-55» на онлайн-складах поставщиков